實(shí)驗(yàn)室甲醇制氫設(shè)備核心參數(shù)體系
2025-11-10 實(shí)驗(yàn)室甲醇制氫設(shè)備需實(shí)現(xiàn)高效(甲醇轉(zhuǎn)化率≥99%、氫氣純度≥99.999%)、穩(wěn)定(連續(xù)運(yùn)行周期500~1000h)的小劑量產(chǎn)氫(通常為0.5~5Nm3/h),需圍繞溫度、壓力、催化劑、水醇比及反應(yīng)系統(tǒng)五大核心要素,構(gòu)建實(shí)驗(yàn)室專(zhuān)屬參數(shù)體系。通過(guò)各要素的精細(xì)化調(diào)控形成適配關(guān)系,為工業(yè)放大提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)支撐。1、溫度:小劑量反應(yīng)的精準(zhǔn)控溫核心甲醇蒸汽重整反應(yīng)(CH?OH+H?O→CO?+3H?,ΔH=+49.4kJ/mol,25℃、101.325kPa)在實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)景中,因催化劑用量...實(shí)驗(yàn)室蒸汽發(fā)生器:科研實(shí)驗(yàn)的精準(zhǔn)蒸汽管家
2025-10-22 在生物制藥、材料分析、環(huán)境監(jiān)測(cè)等科研領(lǐng)域,實(shí)驗(yàn)過(guò)程對(duì)蒸汽的純度、溫度及穩(wěn)定性要求極為嚴(yán)苛,實(shí)驗(yàn)室蒸汽發(fā)生器憑借“小型便攜、精準(zhǔn)可控”的核心優(yōu)勢(shì),成為科研人員的得力助手,以精細(xì)化設(shè)計(jì)助力實(shí)驗(yàn)研究高效推進(jìn)。實(shí)驗(yàn)室蒸汽發(fā)生器的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于微型化設(shè)計(jì)與高精度調(diào)控系統(tǒng)。設(shè)備采用全不銹鋼一體化機(jī)身,可靈活放置于實(shí)驗(yàn)室臺(tái)面上,滿足小型化實(shí)驗(yàn)場(chǎng)景需求。搭載微型電磁加熱模塊與精密流量控制器,能在1-2分鐘內(nèi)產(chǎn)生100-180℃的潔凈蒸汽,蒸汽產(chǎn)量可在0.5-5kg/h范圍內(nèi)精準(zhǔn)調(diào)節(jié),配合高精...濕度發(fā)生器在晶圓CVD工藝中的關(guān)鍵應(yīng)用
2025-10-10 在晶圓CVD工藝中,濕度發(fā)生器主要用于那些將水汽作為工藝有益變量的應(yīng)用場(chǎng)景,即水汽作為必要的反應(yīng)組分或用于主動(dòng)調(diào)控薄膜的關(guān)鍵性能參數(shù)(如應(yīng)力、介電常數(shù)和孔隙率)。此類(lèi)工藝要求濕度發(fā)生器能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)、穩(wěn)定且潔凈的水汽供給。一、低溫氧化硅(SiO?)沉積:解決“低溫反應(yīng)效率與薄膜質(zhì)量平衡”問(wèn)題氧化硅作為晶圓關(guān)鍵絕緣層材料(例如層間介質(zhì)層與鈍化層),在高溫(800℃)條件下沉積容易對(duì)已形成的低溫器件(如MEMS或CMOS晶體管)造成損傷,因此需開(kāi)發(fā)低溫CVD氧化硅工藝(典型工藝:T...掃碼加微信,了解最新動(dòng)態(tài)

Copyright © 2025 億科過(guò)程控制技術(shù)(蘇州)有限公司版權(quán)所有
技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng) 管理登錄 備案號(hào):蘇ICP備2021028332號(hào)-2 sitemap.xml
水蒸氣發(fā)生器
濕度發(fā)生器
VOC發(fā)生器
顆粒物發(fā)生器
重整制氫裝置
公司簡(jiǎn)介
企業(yè)文化
榮譽(yù)資質(zhì)
聯(lián)系我們